- http://www.topological-qp.jp/research/pdf_groupTP/23_grouptopicsC01.pdf
- http://www.agne.co.jp/kotaibutsuri/kota1044.htm
- http://www.ntt.co.jp/journal/1206/files/jn201206022.pdf
- http://www.jst.go.jp/kisoken/crest/report/heisei20/pdf/pdf13/13-006.pdf
- http://kuchem.kyoto-u.ac.jp/hyoumen/papers/jvsj2009.pdf
- 二次元界面の井戸型ポテンシャルへの閉じ込めポテンシャルは〜(0,0,Ez)。よって、表面or界面でのにせ磁場は、電子の進行方向と垂直で、かつ、面内となる。
- http://www.osaka-u.ac.jp/ja/news/ResearchRelease/2012/04/20120406_1
- Bi/Si界面のラシュバ効果は、表面や、半導体界面(InGaAs/InAlAsなど)のそれに比べて大きい
- http://cphys.s.kanazawa-u.ac.jp/20090303press/soi.html
- V〜核の静電ポテンシャルだと思うと、∇V〜r となって、(∇V×p)・σ〜l・σ
- http://ir.library.osaka-u.ac.jp/dspace/bitstream/11094/9891/1/ltc153_01.pdf
- http://ci.nii.ac.jp/els/110007880789.pdf?id=ART0009555347&type=pdf&lang=jp&host=cinii&order_no=&ppv_type=0&lang_sw=&no=1358600863&cp
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110006198198
- http://www-lab.imr.tohoku.ac.jp/~nomura/note_nomura.pdf
- 200頁超、本質は固定端境界条件。これにs-oを入れると、内部のバンドが反転してoddになり、真空のevenと繋ぐところで、一度ギャップレスになる。同時に、S行列が反対称になり、対角成分がゼロなので、スピン反転後方散乱が消える。チャネルがn本あると、det〜(-1)^nなので、偶数時には消えなくなる。
- http://www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/papers/2011/SSSJ-201104-Hasegawa.pdf
- http://www.topo.hokudai.ac.jp/education/SpecialLecture/121102.pdf
- トポ超は、BdGハミルトニアン(2×2)の形が、TIと似ている、というつながり。ヘリシティではなく、Δがp-dependent。C uxB i2Se3など。
- http://www.hiroshima-u.ac.jp/upload/0/news_events/2010nendo/20100917kimura_topologycal/shiryo.pdf
- Konoike intro. et-I3(JPSJ81,043601, ibid 75, 054705) バルクでディラックはこれのみ。
- http://d.hatena.ne.jp/bloch/20150218
- 表面科学http://www.sssj.org/jsssj/Vol32/32-04/index.htm